先进半导体异质集成装备研发与制造项目

先进半导体异质集成装备研发与制造项目
一、项目背景与战略意义
技术趋势
**异质集成（Heterogeneous Integration, HI）**是后摩尔时代的关键技术，通过将不同材料（如Si、GaN、SiC）、制程节点或功能的芯片/器件集成，提升性能并降低成本。
全球竞争格局：美国（CHIPS法案）、欧盟（《芯片法案》）均加大投入，中国需突破高端装备“卡脖子”问题。
市场驱动
需求领域：5G/6G通信、高性能计算（HPC）、自动驾驶、AI芯片等对异质集成需求激增，预计2030年全球市场规模超500亿美元（Yole数据）。
二、核心技术研发方向
关键装备技术
晶圆级键合设备：开发高精度（亚微米级对准）、低温键合（<200℃）技术，兼容Cu-Cu混合键合、SiO₂/SiN介电键合等工艺。
薄膜沉积与刻蚀系统：针对2.5D/3D集成需求，优化ALD（原子层沉积）、DRIE（深硅刻蚀）装备的均匀性与选择性。
跨尺度集成工艺
突破TSV（硅通孔）、微凸点（Microbump）等互连技术，实现<1μm线宽的高密度布线。
开发异质材料界面应力调控技术，减少热失配导致的可靠性问题。
检测与良率提升

集成在线计量（如光学/电子束检测）与AI驱动的缺陷分析系统，将生产良率提升至>99.9%。

选型建议